K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG085WM-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung
K4AAG085WM-BCTD ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCTD | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,95 | $1,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | x8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Рабочая температура | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Тип интерфейса | Parallel (DDR4) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | — |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Density | — | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Интерфейс | — | SSTL12 |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |