K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4AAG085WM-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4AAG085WM-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ 生産中
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K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.95 $1.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
メモリ構成 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
電源電圧 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
インターフェースタイプ Parallel (DDR4) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
データレート 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
インターフェース — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

データシート&リソース

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