K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WM-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG085WM-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ 활성
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.95 $1.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
메모리 구성 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
공급 전압 1.2 V —
패키지 FBGA-78 78-ball FBGA
동작 온도 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
인터페이스 유형 Parallel (DDR4) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
데이터 속도 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
인터페이스 — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

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