K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BCNB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BCNB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,96 | $13,52 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Tension d'alimentation | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0C to +95C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Débit de données | — | 1866 Mbps |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type d'interface | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Burst Length | — | 8, 4 (fixed) |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |