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Samsung Electronics

K4B4G1646E-BCNB - SDRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 1,35V | Samsung

Référence : K4B4G1646E-BCNB ✓ Actif
En stock Expédié sous 1 à 3 jours ouvrés
1.35 V (1.283 V to 1.45 V) Vdss 96-ball FBGA Package DDR3 SDRAM Memory
À partir de $13.5227 USD / unité
MOQ : 1 |
Prix mis à jour : 2026-08-17
Tarifs dégressifs
Qté Prix unitaire Total
1 $23.1818 $23,18
10 $16.7424 $167,42
100 $14.8106 $1 481,06
500 $14.1667 $7 083,35
1 000 $13.5227 $13 522,70
ℹ️ Tous les prix sont en USD

K4B4G1646E-BCNB Présentation

Le Samsung K4B4G1646E-BCNB est une SDRAM DDR3 de 4Gb organisée en 256Mx16, fonctionnant à 1,35V (basse tension) avec un débit de données de 1866 Mbps. Il est idéal pour les applications mobiles et embarquées nécessitant une bande passante élevée et une faible consommation d'énergie. Le composant est logé dans un boîtier FBGA à 96 billes et est conforme RoHS.

Alternatives de remplacement direct pour K4B4G1646E-BCNB — même boîtier, compatible broche à broche. Les références à boîtier différent nécessitant une retouche du PCB sont exclues.

Variantes de cette série

Modèles de la même série directement compatibles avec K4B4G1646E-BCNB (même facteur de forme et même empreinte) — différant par Package, Memory Type, Operating Temperature, Supply Voltage, Burst Length.

Samsung Electronics
Package: 96-FBGA
Supply Voltage: 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V)
Comparer avec K4B4G1646E-BCNB →
Samsung Electronics
Package: 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Memory Type: DDR3L SDRAM
Operating Temperature: 0°C to +95°C (TC)
Comparer avec K4B4G1646E-BCNB →

Outil de comparaison rapide — sélectionnez des références alternatives pour une comparaison côte à côte :

MT41K256M16TW-107

Micron Technology
DDR3L SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · Parallel · 933 MHz (DDR3L-1866) · 20 ns · 1.35 V · 16 bit

✓ En stock

$14.1 / unité

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H5TQ4G63AFR-H9C

SK hynix
DDR3 SDRAM · 4 Gb · 256M x 16 · 1.5 V · 0.255 ns · 96-ball TFBGA · RECTANGULAR · 8192

✓ En stock

$6.5 / unité

Voir la fiche technique →

IS43TR16256A-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
DDR3 SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · 667 MHz · 1333 Mbps · 20 ns · 1.5 V · 96-TWBGA (9x13 mm)

✓ En stock

$10.3409 / unité

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W632GU6NB

Winbond DDR3 4Gb 256Mx16

📋 Alternative de référence (hors catalogue)

AS4C256M16D3L-12BCN

Alliance Memory
DDR3L SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · 16 bit · 800 MHz · 1600 Mbps · 20 ns · 1.35 V

✓ En stock

$6 / unité

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K4B4G1646E-BCNB Valeurs maximales et caractéristiques électriques

Type de mémoire DDR3 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Débit de données 1866 Mbps
Température de fonctionnement 0C to +95C
Boîtier 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount
Statut RoHS Compliant
Nombre de broches 96
Type d'interface Parallel
Refresh 8K / 64 ms
Burst Length 8, 4 (fixed)

Configuration des broches de K4B4G1646E-BCNB

Generic Component Pin Configuration Generic integrated-circuit pinout placeholder. Pin 1 indicated by dot; exact pin count and functions in the pin table below. 1 N 2 N-1 3 N-2 4 N-3 Pin Configuration See pin table below for pin functions Package-specific diagram not available
Broche A1 VDD — Power supply (1.35V)
Broche A2 DQ0 — Data I/O 0
Broche A3 DQ1 — Data I/O 1
Broche B1 VSS — Ground
Broche B2 DQ2 — Data I/O 2
Broche B3 DQ3 — Data I/O 3
Broche C1 VDDQ — DQ power supply
Broche C2 DQS0 — Data strobe 0 (positive)
Broche C3 DQS0# — Data strobe 0 (negative)
Broche D1 VSS — Ground
Broche D2 CLK — Clock input
Broche D3 CLK# — Complementary clock input
Broche E1 CKE — Clock enable
Broche E2 CS# — Chip select
Broche E3 RAS# — Row address strobe
Broche F1 CAS# — Column address strobe
Broche F2 WE# — Write enable
Broche F3 BA0 — Bank address 0
Broche G1 BA1 — Bank address 1
Broche G2 A0 — Address input 0
Broche G3 A1 — Address input 1

Applications typiques

K4B4G1646E-BCNB convient pour 6 applications: Mobile Computing, Embedded Systems, Networking Equipment, Consumer Electronics, Automotive Infotainment, Industrial Automation.

📱

Mobile Computing

Used in laptops and tablets for main memory with low power consumption.

🏭

Embedded Systems

Ideal for industrial single-board computers and IoT gateways.

🌐

Networking Equipment

Used in routers, switches, and network appliances for packet buffering.

📺

Consumer Electronics

Found in smart TVs, set-top boxes, and gaming consoles.

🚗

Automotive Infotainment

Used in car infotainment systems and navigation units.

🏭

Industrial Automation

Deployed in PLCs and HMI panels for data logging and display.

What is the supply voltage range for K4B4G1646E-BCNB?
The supply voltage is 1.35V nominal, with a range of 1.283V to 1.45V for low-voltage DDR3 operation.
What is the maximum data rate of this DDR3 SDRAM?
The K4B4G1646E-BCNB supports a data rate of 1866 Mbps per pin.
What is the memory organization of K4B4G1646E-BCNB?
It is organized as 256M words x 16 bits, totaling 4 Gb.
What package does K4B4G1646E-BCNB come in?
It is housed in a 96-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
Is K4B4G1646E-BCNB RoHS compliant?
Yes, the device is RoHS compliant.
What is the operating temperature range?
The operating temperature range is 0°C to +95°C (case temperature).
Can K4B4G1646E-BCNB be used in mobile applications?
Yes, its low voltage (1.35V) and high density make it suitable for mobile and embedded applications.
What is the difference between DDR3 and DDR3L?
DDR3L operates at 1.35V, while standard DDR3 operates at 1.5V. K4B4G1646E-BCNB is a DDR3L device.
Does K4B4G1646E-BCNB support ECC?
No, this is a non-ECC memory. ECC versions are typically x72 organizations.
What is the burst length supported?
It supports burst lengths of 8 and 4 (fixed).
What is the refresh requirement?
It requires 8K refresh cycles every 64 ms.
Is K4B4G1646E-BCNB compatible with DDR3 sockets?
Yes, it is pin-compatible with standard DDR3 sockets, but voltage levels must match.
What is the typical power consumption?
[DATA_NEEDED: Typical power consumption] Please refer to the datasheet for detailed power numbers.
What is the part number suffix meaning?
The suffix 'E' indicates the generation, 'B' indicates package type (FBGA), 'CNB' indicates speed and temperature grade.
Where can I find the full datasheet?
The datasheet is available on Samsung's semiconductor website at the provided URL.
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