K4B4G1646 vs K4B4G1646E-BCNB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BCNB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.96 | $13.52 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| 공급 전압 | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0C to +95C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 데이터 속도 | — | 1866 Mbps |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 핀 수 | — | 96 |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Burst Length | — | 8, 4 (fixed) |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |