K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCMA0 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.5 V | 1.5V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Statut du cycle de vie | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |