K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCMA0 por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fim de vidaComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.5 V | 1.5V |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Status do ciclo de vida | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latência CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |