K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCMA0 от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BFMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| Напряжение питания | 1.5 V | 1.5V |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | — |
| Корпус | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Статус жизненного цикла | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Задержка CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |