K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646D-BFMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCMA0 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BFMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Ende des Lebenszyklus | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.5 V | 1.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | — |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Lebenszyklusstatus | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS-Latenz | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |