K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH90 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,80 | $0,56 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2133 Mbps/pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (BYK) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | Parallel |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |