K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646E-BYK000 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BYH90 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYK000 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.80 | $0.56 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 2133 Mbps/pin | — |
| 공급 전압 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | [DATA_NEEDED: bank count] |
| 패키지 | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (BYK) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 특징 | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |