K4RCH046VM-2CCM vs K4RBH046VM-BCCP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RCH046VM-2CCM par Samsung Electronics et K4RBH046VM-BCCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RCH046VM-2CCM | K4RBH046VM-BCCP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,60 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 4G x 4 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps | 6400 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Température de fonctionnement | 0 to 85 C | 0 C to +85 C |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Sample | Sample / Active |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Type d'interface | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Taille de mémoire | — | 32 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 4 |
| Interface | — | Parallel |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR5 |
| Packaging | — | Tray |