K9F6408Q0C vs K9F6408U0B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9F6408Q0C par Samsung Electronics et K9F6408U0B par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9F6408Q0C K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C Obsolete
Samsung Electronics
K9F6408U0B K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre K9F6408Q0C K9F6408U0B
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,31 $3,20
Type de mémoire NAND Flash (SLC) NAND Flash
Memory Capacity 64 Mbit (8 M x 8 bit main + 256 K x 8 bit spare) —
Organisation de la mémoire 8M x 8 —
Interface Parallel, 8-bit multiplexed I/O 8-bit multiplexed command/address/data I/O
Operating Voltage (VCC) 1.65 V to 1.95 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time 10 us (read cycle, family listing) —
Page Size 528 bytes (512 data + 16 spare) 528 bytes (512 data + 16 spare)
Temperature Grade C (commercial), i (industrial) —
Package (HIB0 variant) 48-ball TBGA —
Package (family TBGA note) 9 mm x 11 mm 63-ball changed to 6 mm x 8.5 mm 48-ball —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Spare Area 256K x 8 bit —
Control Signals CLE, ALE, CE, WE, RE, WP, R/B —
Bad Block Management Host-managed (marking in spare area) —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 8M x 8 bit (64Mbit)
Access Time / Cycle Time — 50 ns
Boîtier — 44-TSOP2
Block Size — [DATA_NEEDED: block organization from datasheet]
Program/Erase Endurance — 100K program/erase cycles
Write Protect — Yes (WP pin)
Ready/Busy Output — Yes (R/B open-drain)
Operating Temperature (TCB0 grade) — 0C to 70C
Operating Temperature (TIB0 grade) — -40C to 85C
Production Status (per datasheet) — Mass Production (legacy; now obsolete)

Fiches techniques et ressources

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