K9F6408Q0C vs K9F6408U0B Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9F6408Q0C от Samsung Electronics и K9F6408U0B от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9F6408Q0C K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C Obsolete
Samsung Electronics
K9F6408U0B K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр K9F6408Q0C K9F6408U0B
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Obsolete Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,31 $3,20
Тип памяти NAND Flash (SLC) NAND Flash
Memory Capacity 64 Mbit (8 M x 8 bit main + 256 K x 8 bit spare) —
Организация памяти 8M x 8 —
Интерфейс Parallel, 8-bit multiplexed I/O 8-bit multiplexed command/address/data I/O
Operating Voltage (VCC) 1.65 V to 1.95 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time 10 us (read cycle, family listing) —
Page Size 528 bytes (512 data + 16 spare) 528 bytes (512 data + 16 spare)
Temperature Grade C (commercial), i (industrial) —
Package (HIB0 variant) 48-ball TBGA —
Package (family TBGA note) 9 mm x 11 mm 63-ball changed to 6 mm x 8.5 mm 48-ball —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Spare Area 256K x 8 bit —
Control Signals CLE, ALE, CE, WE, RE, WP, R/B —
Bad Block Management Host-managed (marking in spare area) —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 8M x 8 bit (64Mbit)
Access Time / Cycle Time — 50 ns
Корпус — 44-TSOP2
Block Size — [DATA_NEEDED: block organization from datasheet]
Program/Erase Endurance — 100K program/erase cycles
Write Protect — Yes (WP pin)
Ready/Busy Output — Yes (R/B open-drain)
Operating Temperature (TCB0 grade) — 0C to 70C
Operating Temperature (TIB0 grade) — -40C to 85C
Production Status (per datasheet) — Mass Production (legacy; now obsolete)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену