LMG2104R022 vs LMG2104R044 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de LMG2104R022 par Texas Instruments et LMG2104R044 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | LMG2104R022 | LMG2104R044 |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,79 | $6,08 |
| Product Type | 100V GaN Half-Bridge Power Stage with Integrated Driver | — |
| Topologie | Half-bridge (high-side + low-side GaN FETs) | Half-Bridge (high-side + low-side) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Typical On-Resistance (RDS(on)) | 2.2 mΩ | — |
| Integrated Gate Driver | Yes | Yes |
| FET Technology | Enhancement-mode Gallium Nitride (eGaN) | — |
| Smart Switching Features | Yes (dV/dt control, adaptive dead time) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| Over-Current Protection | Yes | — |
| Over-Temperature Protection | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Boîtier | QFN-18 (VBNR) 4.5 mm × 7.0 mm | QFN 5 mm x 4 mm |
| Lead Finish / RoHS | RoHS compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Half-bridge, hard-switched or soft-switched | — |
| Switch Type | — | Enhancement-mode GaN FET |
| Drain-Source Blocking Voltage | — | 100 V |
| Typical Rds(on) per FET | — | 4.4 mΩ |
| Integrated Bootstrap Regulator | — | Yes |
| Logic Input Compatibility | — | TTL, 3.3 V and 5 V |
| Dead-Time Control | — | Smart-Switching auto dead-time |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and bootstrap) |
| Arrêt thermique | — | Yes |
| Short-Circuit / Overcurrent Protection | — | Yes |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Statut RoHS | — | Compliant |