LMG2104R022 vs LMG2104R044 比較

詳細な並列比較: LMG2104R022 メーカー: Texas Instruments および LMG2104R044 メーカー: Texas Instruments。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Texas Instruments
LMG2104R022 LMG2104R022 - 100V 2.2mΩ GaN Half-Bridge Power Stage | TI

LMG2104R022 - 100V 2.2mΩ GaN Half-Bridge Power Stage | TI

LMG2104R022 ✓ 生産中
Texas Instruments
LMG2104R044 LMG2104R044 - 100V 4.4mΩ GaN Half-Bridge Power Stage | TI

LMG2104R044 - 100V 4.4mΩ GaN Half-Bridge Power Stage | TI

LMG2104R044 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ LMG2104R022 LMG2104R044
ブランド Texas Instruments Texas Instruments
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.79 $6.08
Product Type 100V GaN Half-Bridge Power Stage with Integrated Driver —
トポロジー Half-bridge (high-side + low-side GaN FETs) Half-Bridge (high-side + low-side)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Typical On-Resistance (RDS(on)) 2.2 mΩ —
Integrated Gate Driver Yes Yes
FET Technology Enhancement-mode Gallium Nitride (eGaN) —
Smart Switching Features Yes (dV/dt control, adaptive dead time) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Over-Current Protection Yes —
Over-Temperature Protection Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
パッケージ QFN-18 (VBNR) 4.5 mm × 7.0 mm QFN 5 mm x 4 mm
Lead Finish / RoHS RoHS compliant —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Half-bridge, hard-switched or soft-switched —
Switch Type — Enhancement-mode GaN FET
Drain-Source Blocking Voltage — 100 V
Typical Rds(on) per FET — 4.4 mΩ
Integrated Bootstrap Regulator — Yes
Logic Input Compatibility — TTL, 3.3 V and 5 V
Dead-Time Control — Smart-Switching auto dead-time
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and bootstrap)
熱シャットダウン — Yes
Short-Circuit / Overcurrent Protection — Yes
動作温度 — -40C to +125C
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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