M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W064FB70N3E par Micron Technology et M29W064FT70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W064FB70N3E | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Flash | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $6,30 |
| Type de mémoire | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Taille de mémoire | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | — |
| Tension d'alimentation | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block (FB variant) | — |
| Boîtier | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Organization Switching | Byte/Word selectable via BYTE# pin | — |
| Reset/Power-Down | RP# pin | — |
| Data Protection | Block protection, WP# hardware protection | — |
| Device Signature | Electronic signature for device identification | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | Compliant | unknown |
| Brand Source | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) | — |
| Erase/Program Mode | Word/byte program, block erase, chip erase | — |
| Density | — | 64 Mbit |
| Organisation de la mémoire | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |