M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W064FB70N3E por Micron Technology e M29W064FT70N3F por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W064FB70N3E | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Flash | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $6,30 |
| Tipo de memória | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Tamanho da memória | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | — |
| Tensão de alimentação | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block (FB variant) | — |
| Encapsulamento | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Organization Switching | Byte/Word selectable via BYTE# pin | — |
| Reset/Power-Down | RP# pin | — |
| Data Protection | Block protection, WP# hardware protection | — |
| Device Signature | Electronic signature for device identification | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status RoHS | Compliant | unknown |
| Brand Source | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) | — |
| Erase/Program Mode | Word/byte program, block erase, chip erase | — |
| Density | — | 64 Mbit |
| Organização da memória | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |