M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W064FB70N3E от Micron Technology и M29W064FT70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron
M29W064FB70N3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W064FB70N3E | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $6,30 |
| Тип памяти | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Размер памяти | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | — |
| Напряжение питания | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Интерфейс | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block (FB variant) | — |
| Корпус | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Organization Switching | Byte/Word selectable via BYTE# pin | — |
| Reset/Power-Down | RP# pin | — |
| Data Protection | Block protection, WP# hardware protection | — |
| Device Signature | Electronic signature for device identification | — |
| Packaging | Tray | — |
| Статус RoHS | Compliant | unknown |
| Brand Source | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) | — |
| Erase/Program Mode | Word/byte program, block erase, chip erase | — |
| Density | — | 64 Mbit |
| Организация памяти | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |