M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W064FB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W064FT70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W064FB70N3E | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $6.30 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| 메모리 크기 | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) | — |
| 공급 전압 | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block (FB variant) | — |
| 패키지 | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Organization Switching | Byte/Word selectable via BYTE# pin | — |
| Reset/Power-Down | RP# pin | — |
| Data Protection | Block protection, WP# hardware protection | — |
| Device Signature | Electronic signature for device identification | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS 상태 | Compliant | unknown |
| Brand Source | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) | — |
| Erase/Program Mode | Word/byte program, block erase, chip erase | — |
| Density | — | 64 Mbit |
| 메모리 구성 | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |