M29W160FB70N3E vs M29W160EB80ZA3SE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W160FB70N3E par Micron Technology et M29W160EB80ZA3SE par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Actif
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W160FB70N3E M29W160EB80ZA3SE
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,58 $1,35
Type de mémoire FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
Taille de mémoire 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 80 ns
Interface Parallel Parallel (Byte-wide / Word-wide)
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
Boîtier / Format 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Tension d'alimentation — 2.7 V to 3.6 V
Organisation de la mémoire — 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Boîtier — 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
Qualification — AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS — Pb-free (SE suffix)

Fiches techniques et ressources

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