M29W160FB70N3E vs M29W160EB80ZA3SE 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W160FB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W160EB80ZA3SE 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W160FB70N3E | M29W160EB80ZA3SE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.58 | $1.35 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 80 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (Byte-wide / Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Programming Voltage | Single supply (no separate VPP required) | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| Architecture | Boot block | — |
| 패키지 / 케이스 | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Packaging | Tray | Tape & Reel (TR) |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Status Output | Data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes (boot block protection) | — |
| 공급 전압 | — | 2.7 V to 3.6 V |
| 메모리 구성 | — | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable |
| 패키지 | — | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) |
| Programming Supply | — | Single 3V supply for program, erase and read |
| Technology Family | — | M29W160EB (3rd generation M29W series) |
| Erase Block Architecture | — | Boot block (parameter and main blocks) |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS 상태 | — | Pb-free (SE suffix) |