M29W160FB70N3E vs M29W160EB80ZA3SE Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W160FB70N3E por Micron Technology e M29W160EB80ZA3SE por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W160FB70N3E M29W160EB80ZA3SE
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,58 $1,35
Tipo de memória FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
Tamanho da memória 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 80 ns
Interface Parallel Parallel (Byte-wide / Word-wide)
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
Encapsulamento / Caixa 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Tensão de alimentação — 2.7 V to 3.6 V
Organização da memória — 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Encapsulamento — 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
Qualification — AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS — Pb-free (SE suffix)

Fichas técnicas e recursos

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