M29W160FB70N3E vs M29W160EB80ZA3SE Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160FB70N3E от Micron Technology и M29W160EB80ZA3SE от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160FB70N3E M29W160EB80ZA3SE
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,58 $1,35
Тип памяти FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
Размер памяти 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 80 ns
Интерфейс Parallel Parallel (Byte-wide / Word-wide)
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
Корпус / Типоразмер 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Напряжение питания — 2.7 V to 3.6 V
Организация памяти — 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Корпус — 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
Qualification — AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS — Pb-free (SE suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену