M29W320DB70N3E vs M29W320DT70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W320DB70N3E par Micron Technology et M29W320DT70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W320DB70N3E | M29W320DT70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Flash | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,95 | $2,05 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | — |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | 4M x8 / 2M x16 |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Taille de mémoire | — | 32 Mbit |
| Read Current (typical) | — | 10 mA |
| Boot Block Architecture | — | Top boot (DT suffix) |
| Boot Region | — | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block |
| Package Length | — | 18.4 mm |
| Niveau MSL | — | 3 (168 Hours) |
| Peak Reflow Temperature Time | — | 30 s |
| Packaging | — | Tray |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |