M29W320DB70N3E vs M29W320DT70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W320DB70N3E от Micron Technology и M29W320DT70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W320DB70N3E | M29W320DT70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,95 | $2,05 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | — |
| Организация памяти | 2M x 16 | 4M x8 / 2M x16 |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Размер памяти | — | 32 Mbit |
| Read Current (typical) | — | 10 mA |
| Boot Block Architecture | — | Top boot (DT suffix) |
| Boot Region | — | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block |
| Package Length | — | 18.4 mm |
| Уровень MSL | — | 3 (168 Hours) |
| Peak Reflow Temperature Time | — | 30 s |
| Packaging | — | Tray |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |