M29W320DB70N3E vs M29W320DT70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W320DB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W320DT70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ 生産中
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M29W320DT70N3E M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W320DB70N3E M29W320DT70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Flash Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.95 $2.05
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
Density 32 Mbit (33554 kbits) —
メモリ構成 2M x 16 4M x8 / 2M x16
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
インターフェース Parallel Parallel
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) —
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 48-TSOP I 48-TSOP I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
メモリサイズ — 32 Mbit
Read Current (typical) — 10 mA
Boot Block Architecture — Top boot (DT suffix)
Boot Region — 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block
Package Length — 18.4 mm
MSLレベル — 3 (168 Hours)
Peak Reflow Temperature Time — 30 s
Packaging — Tray
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

データシート&リソース

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