M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W640GB70N3E par Micron Technology et M29W320DB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,05 | $1,95 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Interface | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Organisation de la mémoire | 4M x16 / 8M x8 | 2M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |