M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3E 比較
詳細な並列比較: M29W640GB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W320DB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Flash |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.05 | $1.95 |
| メモリタイプ | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| インターフェース | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 電源電圧 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| メモリ構成 | 4M x16 / 8M x8 | 2M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| 動作温度 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| パッケージ | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |