M29W640GB70N3E vs M29W320DB70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W640GB70N3E por Micron Technology e M29W320DB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W640GB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Flash |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,05 | $1,95 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Interface | Parallel, asynchronous | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensão de alimentação | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Organização da memória | 4M x16 / 8M x8 | 2M x 16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |