M58BW32FB5ZA3T vs M58BW16FB4ZA3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M58BW32FB5ZA3T par Micron Technology et M58BW16FB4ZA3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M58BW32FB5ZA3T | M58BW16FB4ZA3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,88 | $3,48 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash, parallel burst |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 16 Mbit (1M x16 / 512K x32) |
| Organisation de la mémoire | x32 (Boot Block, Burst) | 1M words x16, boot block |
| Interface | Parallel | Parallel, synchronous burst |
| Access Time | 55 ns | 45 ns |
| Tension d'alimentation | 3.3 V (single supply) | 3.3 V nominal |
| Burst Mode | Yes (synchronous burst read) | — |
| Block Architecture | Boot Block | — |
| Boîtier | 80-LBGA (10 x 12 mm) | 80-LBGA (10 x 12 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C (automotive grade) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (3F lead-free suffix) |
| Number of Terminals | — | 80 |
| Application Grade | — | Automotive |
| Technology | — | Boot Block NOR Flash |
| Read Mode | — | Asynchronous and synchronous burst read |
| Lifecycle | — | Active / legacy parallel NOR |