M58BW32FB5ZA3T vs M58BW16FB4ZA3F 比較
詳細な並列比較: M58BW32FB5ZA3T メーカー: Micron Technology および M58BW16FB4ZA3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M58BW32FB5ZA3T | M58BW16FB4ZA3F |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.88 | $3.48 |
| メモリタイプ | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash, parallel burst |
| メモリサイズ | 32 Mbit | 16 Mbit (1M x16 / 512K x32) |
| メモリ構成 | x32 (Boot Block, Burst) | 1M words x16, boot block |
| インターフェース | Parallel | Parallel, synchronous burst |
| Access Time | 55 ns | 45 ns |
| 電源電圧 | 3.3 V (single supply) | 3.3 V nominal |
| Burst Mode | Yes (synchronous burst read) | — |
| Block Architecture | Boot Block | — |
| パッケージ | 80-LBGA (10 x 12 mm) | 80-LBGA (10 x 12 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C (automotive grade) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (3F lead-free suffix) |
| Number of Terminals | — | 80 |
| Application Grade | — | Automotive |
| Technology | — | Boot Block NOR Flash |
| Read Mode | — | Asynchronous and synchronous burst read |
| Lifecycle | — | Active / legacy parallel NOR |