M58BW32FB5ZA3T vs M58BW16FB4ZA3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M58BW32FB5ZA3T 제조: Micron Technology 및 M58BW16FB4ZA3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M58BW32FB5ZA3T | M58BW16FB4ZA3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.88 | $3.48 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash, parallel burst |
| 메모리 크기 | 32 Mbit | 16 Mbit (1M x16 / 512K x32) |
| 메모리 구성 | x32 (Boot Block, Burst) | 1M words x16, boot block |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, synchronous burst |
| Access Time | 55 ns | 45 ns |
| 공급 전압 | 3.3 V (single supply) | 3.3 V nominal |
| Burst Mode | Yes (synchronous burst read) | — |
| Block Architecture | Boot Block | — |
| 패키지 | 80-LBGA (10 x 12 mm) | 80-LBGA (10 x 12 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C (automotive grade) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (3F lead-free suffix) |
| Number of Terminals | — | 80 |
| Application Grade | — | Automotive |
| Technology | — | Boot Block NOR Flash |
| Read Mode | — | Asynchronous and synchronous burst read |
| Lifecycle | — | Active / legacy parallel NOR |