MC9S12XDP512MAG vs MC9S12DG128CPV Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MC9S12XDP512MAG par NXP Semiconductors et MC9S12DG128CPV par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MC9S12XDP512MAG MC9S12XDP512MAG - 16-bit 80MHz 512KB Flash MCU | NXP

MC9S12XDP512MAG - 16-bit 80MHz 512KB Flash MCU | NXP

MC9S12XDP512MAG Nrnd
NXP Semiconductors
MC9S12DG128CPV MC9S12DG128CPV - 16-Bit HCS12 MCU, 128KB Flash | NXP

MC9S12DG128CPV - 16-Bit HCS12 MCU, 128KB Flash | NXP

MC9S12DG128CPV ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MC9S12XDP512MAG MC9S12DG128CPV
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Microcontrollers Microcontrollers
Statut du cycle de vie NRND Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $17,85
Core Processor HCS12X (16-bit CISC) —
Core Size 16-bit —
Fréquence d'horloge maximale 80 MHz —
Flash Memory Size 512 KB (512K x 8) —
Tension d'alimentation 2.5 V / 5 V —
Boîtier 144-LQFP (20x20 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Terminal Form Gull Wing —
Package Shape Square (LFQFP) —
ADC Resolution 10-bit —
Temperature Grade Automotive —
Qualification AEC-Q100 —
Instruction Set Compatibility Upward compatible with HCS12 —
External Bus Interface Yes (144-pin LQFP option) —
Target Application Domain Automotive multiplexing —
Statut du cycle de vie NRND (Not Recommended for New Designs) —
Core Architecture — HCS12 (16-bit CISC)
Maximum CPU Clock — 25 MHz
Program Memory (Flash) — 128 KB (128K x 8)
Data Memory (RAM) — 8 KB
EEPROM — 2 KB
Number of I/O Pins — 91
Boîtier / Format — 112-LQFP (20 x 20 mm)
Analog-to-Digital Converter — 8-channel, 10-bit ATD
CAN Modules — Up to 3 x MSCAN (CAN 2.0A/B)
Serial Interfaces — 2 x SCI (UART), 1 x SPI, 1 x I2C
Timer — Enhanced Capture Timer (ECT), 8 channels
Operating Voltage — 4.5 V to 5.5 V (single 5V supply)
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C (automotive)
Niveau MSL — 3 (168 hours)
Debug Interface — Background Debug Mode (BDM)
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status from manufacturer]
Flash Endurance — 100,000 write/erase cycles (typical)

Fiches techniques et ressources

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