MC9S12XDP512MAG vs MC9S12DG128CPV Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MC9S12XDP512MAG от NXP Semiconductors и MC9S12DG128CPV от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MC9S12XDP512MAG | MC9S12DG128CPV |
|---|---|---|
| Бренд | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Категория | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Статус жизненного цикла | NRND | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $17,85 |
| Core Processor | HCS12X (16-bit CISC) | — |
| Core Size | 16-bit | — |
| Максимальная тактовая частота | 80 MHz | — |
| Flash Memory Size | 512 KB (512K x 8) | — |
| Напряжение питания | 2.5 V / 5 V | — |
| Корпус | 144-LQFP (20x20 mm) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Form | Gull Wing | — |
| Package Shape | Square (LFQFP) | — |
| ADC Resolution | 10-bit | — |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Qualification | AEC-Q100 | — |
| Instruction Set Compatibility | Upward compatible with HCS12 | — |
| External Bus Interface | Yes (144-pin LQFP option) | — |
| Target Application Domain | Automotive multiplexing | — |
| Статус жизненного цикла | NRND (Not Recommended for New Designs) | — |
| Core Architecture | — | HCS12 (16-bit CISC) |
| Maximum CPU Clock | — | 25 MHz |
| Program Memory (Flash) | — | 128 KB (128K x 8) |
| Data Memory (RAM) | — | 8 KB |
| EEPROM | — | 2 KB |
| Number of I/O Pins | — | 91 |
| Корпус / Типоразмер | — | 112-LQFP (20 x 20 mm) |
| Analog-to-Digital Converter | — | 8-channel, 10-bit ATD |
| CAN Modules | — | Up to 3 x MSCAN (CAN 2.0A/B) |
| Serial Interfaces | — | 2 x SCI (UART), 1 x SPI, 1 x I2C |
| Timer | — | Enhanced Capture Timer (ECT), 8 channels |
| Operating Voltage | — | 4.5 V to 5.5 V (single 5V supply) |
| Рабочая температура | — | -40 C to +125 C (automotive) |
| Уровень MSL | — | 3 (168 hours) |
| Debug Interface | — | Background Debug Mode (BDM) |
| Статус RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status from manufacturer] |
| Flash Endurance | — | 100,000 write/erase cycles (typical) |