MC9S12XDP512MAG vs MC9S12DG128CPV Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MC9S12XDP512MAG por NXP Semiconductors e MC9S12DG128CPV por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MC9S12XDP512MAG | MC9S12DG128CPV |
|---|---|---|
| Marca | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Categoria | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Status do ciclo de vida | NRND | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $17,85 |
| Core Processor | HCS12X (16-bit CISC) | — |
| Core Size | 16-bit | — |
| Frequência máxima de clock | 80 MHz | — |
| Flash Memory Size | 512 KB (512K x 8) | — |
| Tensão de alimentação | 2.5 V / 5 V | — |
| Encapsulamento | 144-LQFP (20x20 mm) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Form | Gull Wing | — |
| Package Shape | Square (LFQFP) | — |
| ADC Resolution | 10-bit | — |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Qualification | AEC-Q100 | — |
| Instruction Set Compatibility | Upward compatible with HCS12 | — |
| External Bus Interface | Yes (144-pin LQFP option) | — |
| Target Application Domain | Automotive multiplexing | — |
| Status do ciclo de vida | NRND (Not Recommended for New Designs) | — |
| Core Architecture | — | HCS12 (16-bit CISC) |
| Maximum CPU Clock | — | 25 MHz |
| Program Memory (Flash) | — | 128 KB (128K x 8) |
| Data Memory (RAM) | — | 8 KB |
| EEPROM | — | 2 KB |
| Number of I/O Pins | — | 91 |
| Encapsulamento / Caixa | — | 112-LQFP (20 x 20 mm) |
| Analog-to-Digital Converter | — | 8-channel, 10-bit ATD |
| CAN Modules | — | Up to 3 x MSCAN (CAN 2.0A/B) |
| Serial Interfaces | — | 2 x SCI (UART), 1 x SPI, 1 x I2C |
| Timer | — | Enhanced Capture Timer (ECT), 8 channels |
| Operating Voltage | — | 4.5 V to 5.5 V (single 5V supply) |
| Temperatura de operação | — | -40 C to +125 C (automotive) |
| Nível MSL | — | 3 (168 hours) |
| Debug Interface | — | Background Debug Mode (BDM) |
| Status RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status from manufacturer] |
| Flash Endurance | — | 100,000 write/erase cycles (typical) |