MPC8313CVRADDB vs MPC8313ECVRADDB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MPC8313CVRADDB par NXP Semiconductors et MPC8313ECVRADDB par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
NXP Semiconductors
MPC8313CVRADDB - PowerQUICC II Pro 267MHz MPU | NXP 516-BGA
MPC8313CVRADDB ✓ ActifNXP Semiconductors
MPC8313ECVRADDB - PowerQUICC II Pro MPU, 267MHz, 516-TEPBGA | NXP
MPC8313ECVRADDB ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | MPC8313CVRADDB | MPC8313ECVRADDB |
|---|---|---|
| Marque | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Catégorie | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,60 | $52,85 |
| Core Architecture | PowerPC e300c3 | 32-bit RISC, single core |
| Number of Cores | 1 | — |
| Largeur du bus de données | 32-bit | — |
| Maximum Core Frequency | 267 MHz | — |
| Boîtier | 516-TEPBGA (27x27 mm) | — |
| Package Code | BGA | — |
| Terminal Form | Ball | — |
| Number of Terminals | 516 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Grade | Industrial | — |
| Memory Controller | DDR1/DDR2 SDRAM | DDR1/DDR2 with ECC |
| Ethernet | Dual 10/100/1000 MAC | — |
| USB | USB 2.0 High-Speed with integrated PHY | USB 2.0 (host/device) |
| PCI Express | 1 x PCIe x1 lane | — |
| Communications Accelerator | QUICC Engine | — |
| Encryption | Without (W/O ENCR) | — |
| Series | MPC83xx | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per DigiKey listing) |
| Processor Type | — | PowerPC e300c3, MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| Maximum CPU Clock | — | 267 MHz |
| Cache (I-cache / D-cache) | — | 16 KB / 16 KB |
| Security Accelerator | — | SEC 2.x (DES, 3DES, AES, SHA-1, MD5, ARC4) |
| Ethernet MAC | — | 2x 10/100/1000 (TSEC) |
| PCI Express / PCI | — | 1x PCIe + 1x PCI 2.3 |
| I/O Voltage | — | 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Core Voltage | — | 0.95 V to 1.05 V |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +105C (industrial) |
| Boîtier / Format | — | 516-TEPBGA, 27x27 mm |
| Lead Free Status | — | Lead Free |
| Process Technology | — | 90 nm CMOS |
| Niveau MSL | — | 3 |