MRF5S19060NR1 vs MRF5S19060NBR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF5S19060NR1 par NXP Semiconductors et MRF5S19060NBR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Transceivers MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $17,95 $25,40
Type de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power)
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (Average) 12 W 12 W avg.
Typical Gain 14 dB at 1.99 GHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V —
Test Supply Voltage 28 V —
Test Quiescent Current 750 mA —
Boîtier / Format TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead) —
Style de montage Surface Mount —
Configuration Single, Common-Source Dual Die (2 x N), Common Source
Application Base station / broadband commercial amplifier —
Nombre de broches 5 —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Lead Free Status Lead Free —
Operating Mode Class AB (typical RF PA) —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Frequency Band — 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (P1dB) — 60 W (CW/peak)
Drain Supply Voltage — 28 V (typical)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 65 V (max)
Power Gain — 14 dB at 1.99 GHz
Drain Current — 750 mA (typical operating DC)
Boîtier — TO-272 WB-4 (overmolded plastic)
Type de montage — Surface Mount (SMD)
Nombre de broches — 5
Peak Reflow Temperature — 260 C
Maximum Power Dissipation (Absolute) — 218.8 W
Technology — Silicon LDMOS
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]

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