MRF6VP21KHR5 vs MRF6VP41KHR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF6VP21KHR5 par NXP Semiconductors et MRF6VP41KHR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF6VP21KHR5 MRF6VP21KHR5 - 1000W VHV6 RF MOSFET, 235MHz, NI-1230 | NXP

MRF6VP21KHR5 - 1000W VHV6 RF MOSFET, 235MHz, NI-1230 | NXP

MRF6VP21KHR5 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF6VP41KHR5 MRF6VP41KHR5 - 1000W 450MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF6VP41KHR5 - 1000W 450MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF6VP41KHR5 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF6VP21KHR5 MRF6VP41KHR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $220,00 $229,50
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode RF MOSFET (LDMOS) N-Channel Lateral MOSFET
Technology Laterally Diffused MOS (LDMOS) - VHV6 family MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vdss) Max 110 V —
Continuous Drain Current [DATA_NEEDED: continuous drain current Id] —
Pulsed Output Power (Pout) at 235 MHz 1000 W (typical, pulsed) —
Operating Frequency Range Up to 235 MHz —
Power Gain (Gps) at 235 MHz 24 dB (nominal, common-source) —
Test Conditions 50 V supply, pulsed RF service —
Drain Efficiency (Typ) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Input/Output Matching Unmatched (discrete matching network required) —
Boîtier / Format NI-1230-4H (5-pin ceramic flange) NI-1230
Type de montage Flange mount with screws to heatsink Chassis Mount (flange)
Maximum Operating Temperature 225 °C (package rating) —
Peak Reflow Temperature 260 °C (max 40 s) 260 C
Operating Mode Enhancement mode —
Channel Polarity N-Channel —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — NXP Semiconductors
Part Status — Active
Frequency Range — 10 MHz to 500 MHz
Drain-Source Voltage (Vds) — 50 V
Test Frequency — 450 MHz
Output Power (Pout) — 1000 W
Power Gain (Gp) — 20 dB
Drain Current (Id) — 150 mA (operating idle current)
Operating Temperature (Max) — 225 C
Maximum Time at Peak Reflow — 40 s
Configuration — Single

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