MRF7S19100NR1 vs MRF5S19100HR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF7S19100NR1 par NXP Semiconductors et MRF5S19100HR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF5S19100HR5 MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF7S19100NR1 MRF5S19100HR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Type de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS (RF Power)
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) min 65 V —
Drain Supply Voltage (VDD) typical 28 V —
Output Power (Pout) Avg W-CDMA 29 W —
Power Gain 17.5 dB —
Drain Current at Test (ID) 1 A —
Quiescent Current (IDQ) typical 1000 mA to 1400 mA —
Test Voltage 28 V —
Boîtier TO-270 WB-4 (Case 1486-03) Plastic —
Type de montage Surface Mount Chassis Mount / Flange
Configuration Single, Common Source Single N-Channel
Operating Mode Class AB / Class C —
Modulation Target Single-Carrier W-CDMA (3GPP TM1 64 DPCH) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance per NXP product page] [DATA_NEEDED: rohs status]
Technology — N-Channel MOSFET
Frequency Band — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (Pout) — 22 W
Power Gain at Test — 13.9 dB
Drain-Source Voltage Rated (Vdss) — 65 V
Test Voltage (Vd) — 28 V
Test Current (Id) — 1 A
Boîtier / Format — NI-780 (3-pin ceramic flange)
Supplier Device Package — NI-780
Part Status — Obsolete
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish]
ESD Protection — Yes (per datasheet)
Channel Temperature (Tj max) — [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum]

Fiches techniques et ressources

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