MRF7S19100NR1 vs MRF5S19100HR5 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MRF7S19100NR1 por NXP Semiconductors e MRF5S19100HR5 por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MRF5S19100HR5 MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro MRF7S19100NR1 MRF5S19100HR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Tipo de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS (RF Power)
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) min 65 V —
Drain Supply Voltage (VDD) typical 28 V —
Output Power (Pout) Avg W-CDMA 29 W —
Power Gain 17.5 dB —
Drain Current at Test (ID) 1 A —
Quiescent Current (IDQ) typical 1000 mA to 1400 mA —
Test Voltage 28 V —
Encapsulamento TO-270 WB-4 (Case 1486-03) Plastic —
Tipo de montagem Surface Mount Chassis Mount / Flange
Configuration Single, Common Source Single N-Channel
Operating Mode Class AB / Class C —
Modulation Target Single-Carrier W-CDMA (3GPP TM1 64 DPCH) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance per NXP product page] [DATA_NEEDED: rohs status]
Technology — N-Channel MOSFET
Frequency Band — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (Pout) — 22 W
Power Gain at Test — 13.9 dB
Drain-Source Voltage Rated (Vdss) — 65 V
Test Voltage (Vd) — 28 V
Test Current (Id) — 1 A
Encapsulamento / Caixa — NI-780 (3-pin ceramic flange)
Supplier Device Package — NI-780
Part Status — Obsolete
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish]
ESD Protection — Yes (per datasheet)
Channel Temperature (Tj max) — [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum]

Fichas técnicas e recursos

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