MRF7S19100NR1 vs MRF5S19100HR5 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MRF7S19100NR1 מאת NXP Semiconductors ו MRF5S19100HR5 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MRF7S19100NR1 - 29W 1930-1990MHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF7S19100NR1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | MRF7S19100NR1 | MRF5S19100HR5 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | Obsolete |
| סוג טרנזיסטור | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS (RF Power) |
| Frequency Range | 1930 MHz to 1990 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) min | 65 V | — |
| Drain Supply Voltage (VDD) typical | 28 V | — |
| Output Power (Pout) Avg W-CDMA | 29 W | — |
| Power Gain | 17.5 dB | — |
| Drain Current at Test (ID) | 1 A | — |
| Quiescent Current (IDQ) typical | 1000 mA to 1400 mA | — |
| Test Voltage | 28 V | — |
| מארז | TO-270 WB-4 (Case 1486-03) Plastic | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Chassis Mount / Flange |
| Configuration | Single, Common Source | Single N-Channel |
| Operating Mode | Class AB / Class C | — |
| Modulation Target | Single-Carrier W-CDMA (3GPP TM1 64 DPCH) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance per NXP product page] | [DATA_NEEDED: rohs status] |
| Technology | — | N-Channel MOSFET |
| Frequency Band | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Output Power (Pout) | — | 22 W |
| Power Gain at Test | — | 13.9 dB |
| Drain-Source Voltage Rated (Vdss) | — | 65 V |
| Test Voltage (Vd) | — | 28 V |
| Test Current (Id) | — | 1 A |
| מארז / Case | — | NI-780 (3-pin ceramic flange) |
| Supplier Device Package | — | NI-780 |
| Part Status | — | Obsolete |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish] |
| ESD Protection | — | Yes (per datasheet) |
| Channel Temperature (Tj max) | — | [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum] |