MT41K256M16TW-107:P - SDRAM DDR3L 4Gb 933MHz | Micron
Référence : MT41K256M16TW-107:P ✓ Actif| Qté | Prix unitaire | Total |
|---|---|---|
| 1 | $19.42 | $19,42 |
| 10 | $18.5 | $185,00 |
| 100 | $17.6 | $1 760,00 |
| 500 | $16.8 | $8 400,00 |
| 1 000 | $16 | $16 000,00 |
MT41K256M16TW-107:P Présentation
La SDRAM DDR3L (Double Data Rate 3 Low Voltage) est un type de mémoire vive dynamique synchrone qui fonctionne à une tension plus basse (1,35 V) par rapport à la DDR3 standard (1,5 V), réduisant la consommation d'énergie jusqu'à 20 % tout en conservant des performances similaires. Elle fait partie de la famille DDR3, qui utilise une signalisation à double débit de données pour transférer les données sur les deux fronts de l'horloge, et est largement utilisée dans les serveurs, les ordinateurs portables et les systèmes embarqués. La DDR3L est rétrocompatible avec les emplacements DDR3, ce qui en fait un choix polyvalent pour les mises à niveau et les nouvelles conceptions.
Les principales caractéristiques incluent une densité de 4 Gbit, un bus de données 16 bits, une vitesse d'horloge de 933 MHz et la prise en charge des timings DDR3L-1866 conformes à la norme JEDEC. Le dispositif comprend l'auto-rafraîchissement automatique, la précharge automatique, le write leveling, la terminaison dynamique sur puce (ODT) et la calibration ZQ, garantissant l'intégrité du signal et un fonctionnement fiable. Il fonctionne sur une plage de températures de 0 °C à +95 °C, ce qui le rend adapté aux environnements commerciaux et industriels.
Techniquement, le MT41K256M16TW-107:P utilise un processus CMOS haute performance et dispose d'une latence CAS programmable de 11, 12, 13 et 14, avec une longueur de rafale de 8 et un burst chop de 4. Il prend en charge la terminaison sur puce (ODT) pour améliorer l'intégrité du signal et inclut une DLL pour un alignement précis de l'horloge. Le dispositif est conforme RoHS et sans plomb, répondant aux normes environnementales.
Les applications typiques incluent l'informatique haute performance, les équipements de réseautage, l'automatisation industrielle et les systèmes embarqués où une faible consommation et une bande passante élevée sont critiques. Son fonctionnement à 1,35 V réduit la charge thermique, ce qui le rend idéal pour les conceptions compactes et sensibles à l'énergie.
Lors de la conception avec ce dispositif, assurez-vous de la présence de condensateurs de découplage appropriés à proximité des broches d'alimentation et suivez les directives de mise en page de la fiche technique pour minimiser les problèmes d'intégrité du signal. Le dispositif nécessite une alimentation stable de 1,35 V et une terminaison soignée des lignes d'adresse/contrôle.
Alternatives de remplacement direct pour MT41K256M16TW-107:P — même boîtier, compatible broche à broche. Les références à boîtier différent nécessitant une retouche du PCB sont exclues.
Variantes de cette série
Modèles de la même série directement compatibles avec MT41K256M16TW-107:P (même facteur de forme et même empreinte) — différant par Package, Supply Voltage, Memory Type, Memory Size, Data Rate.
Outil de comparaison rapide — sélectionnez des références alternatives pour une comparaison côte à côte :
MT41K256M16TW-107IT:P
✅ Remplacement direct📋 Alternative de référence (hors catalogue)
MT41K256M16TW-107AIT:P
✅ Remplacement direct📋 Alternative de référence (hors catalogue)
MT41K256M16HA-125XIT:E
✅ Remplacement direct📋 Alternative de référence (hors catalogue)
K4B4G1646D-BYMA
✅ Remplacement direct📋 Alternative de référence (hors catalogue)
AS4C256M16D3LC-10BCN
✅ Remplacement direct📋 Alternative de référence (hors catalogue)
MT41K256M16TW-107:P Valeurs maximales et caractéristiques électriques
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Débit de données | 1866 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V |
| Latence CAS | 13 |
| tRCD | 20 ns |
| tRP | 20 ns |
| Burst Length | 8 |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant |
| Lead-Free | Yes |
Configuration des broches de MT41K256M16TW-107:P
| Broche A1 | VDD — Power supply (1.35V) |
| Broche A2 | DQ0 — Data input/output 0 |
| Broche A3 | DQ1 — Data input/output 1 |
| Broche A4 | VSS — Ground |
| Broche B1 | DQ2 — Data input/output 2 |
| Broche B2 | DQ3 — Data input/output 3 |
| Broche B3 | VDDQ — I/O power supply (1.35V) |
| Broche B4 | DQ4 — Data input/output 4 |
| Broche C1 | DQ5 — Data input/output 5 |
| Broche C2 | DQ6 — Data input/output 6 |
| Broche C3 | DQ7 — Data input/output 7 |
| Broche C4 | VSS — Ground |
Applications typiques
MT41K256M16TW-107:P convient pour 6 applications: High-Performance Computing, Networking Equipment, Industrial Automation, Embedded Systems, Consumer Electronics, Automotive Infotainment.
High-Performance Computing
The MT41K256M16TW-107:P provides 4Gbit of DDR3L memory at 1866 MT/s, making it ideal for servers and workstations where high bandwidth and low power are critical. Its 1.35V operation reduces thermal load, enabling denser memory configurations. The 96-FBGA package allows compact PCB layouts, and the 16-bit data bus simplifies routing in multi-rank designs. With a CAS latency of 13, it balances speed and latency for compute-intensive workloads.
Recommandé
Networking Equipment
In routers and switches, the MT41K256M16TW-107:P offers high-speed packet buffering with 1866 MT/s data rate and low latency. Its auto self-refresh and write leveling features ensure reliable operation in high-traffic environments. The 1.35V supply reduces power consumption in always-on network devices. The 96-FBGA package is suitable for space-constrained line cards, and the 16-bit interface simplifies connection to network processors.
Recommandé
Industrial Automation
The MT41K256M16TW-107:P operates from 0°C to +95°C, making it suitable for industrial control systems. Its robust design includes dynamic ODT and ZQ calibration for signal integrity in noisy environments. The 4Gbit density supports large data logging and real-time processing. The 1.35V operation reduces heat generation in sealed enclosures, and the 96-FBGA package withstands vibration in factory settings.
Recommandé
Embedded Systems
For embedded applications, the MT41K256M16TW-107:P provides a balance of performance and power efficiency. Its 1.35V supply is ideal for battery-powered devices, and the 4Gbit capacity supports complex applications like image processing. The 96-FBGA package is compact, and the 16-bit bus reduces pin count, simplifying PCB design. Auto self-refresh extends battery life in standby modes.
Recommandé
Consumer Electronics
In consumer devices like smart TVs and set-top boxes, the MT41K256M16TW-107:P delivers high bandwidth for smooth video playback and multitasking. Its low voltage reduces heat, enabling slim designs. The 96-FBGA package is suitable for compact PCBs, and the 1866 MT/s data rate supports 4K video streams. Write leveling ensures reliable operation in high-speed interfaces.
Recommandé
Automotive Infotainment
The MT41K256M16TW-107:P is used in automotive infotainment systems where reliability and temperature range are critical. While not AEC-Q100 qualified, the industrial temperature variant (MT41K256M16TW-107IT:P) is available for -40°C to +95°C operation. The 4Gbit density supports navigation and multimedia, and the 1.35V supply reduces power in vehicle electrical systems. The 96-FBGA package withstands vibration.
Recommandé
Récapitulatif des produits recommandés
Données de référence d'ingénierie pour MT41K256M16TW-107:P — comparaison, recommandations de conception et informations de conformité.
Guide de sélection
Comparaison avec les alternatives
| Paramètre | Ce produit | MT41K256M16TW-107IT:P | MT41K256M16TW-107AIT:P | K4B4G1646D-BYMA |
|---|---|---|---|---|
| Package | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Brand | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Memory Size | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| Data Rate | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Supply Voltage | 1.35V | 1.35V | 1.35V | 1.35V |
| Operating Temperature | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS Latency | 13 | 13 | 13 | 13 |
| AEC-Q100 | No | No | Yes | No |
Principaux différenciateurs
- Débit de données plus élevé (1866 MT/s) par rapport au MT41K256M16HA-125XIT:E (1600 MT/s) (vs MT41K256M16HA-125XIT:E)
- Tension plus basse (1,35 V) par rapport à la DDR3 standard (1,5 V) (vs Composants DDR3 standard)
- Grade de température industrielle disponible (MT41K256M16TW-107IT:P) (vs K4B4G1646D-BYMA)
Notes de conception
Le MT41K256M16TW-107:P nécessite une alimentation stable de 1,35 V. Utilisez des condensateurs céramiques à faible ESR (0,1 uF et 1 uF) placés à proximité de chaque broche VDD et VDDQ pour minimiser l'ondulation de tension. Assurez-vous que le plan d'alimentation présente une faible impédance sur la plage de fréquences concernée.
Suivez les directives de mise en page de la fiche technique Micron pour le routage DDR3L. Faites correspondre les longueurs de pistes pour les signaux DQ, DQS et adresse/contrôle afin de maintenir l'intégrité du signal. Utilisez des pistes à impédance contrôlée (généralement 40-60 ohms) et prévoyez une terminaison appropriée pour les lignes d'adresse/contrôle.
Le dispositif fonctionne jusqu'à +95 °C, mais assurez une circulation d'air ou un dissipateur thermique adéquat dans les systèmes à haute puissance. L'alimentation de 1,35 V réduit la dissipation de puissance, mais dans les matrices de mémoire denses, des vias thermiques sous le boîtier FBGA peuvent aider à dissiper la chaleur.
Informations de conformité
RoHS compliant per JLCPCB listing. Lead-free per Micron. Not AEC-Q100 qualified for standard part; automotive grade available as MT41K256M16TW-107AIT:P.
