MW7IC2220NBR1 vs MW7IC2240NBR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MW7IC2220NBR1 par NXP Semiconductors et MW7IC2240NBR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MW7IC2220NBR1 MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MW7IC2240NBR1 MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MW7IC2220NBR1 MW7IC2240NBR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $21,50 $29,00
Technology RF LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) RF LDMOS (multi-stage integrated)
Fonction W-CDMA Wideband Integrated Power Amplifier —
Frequency Range 2000 MHz to 2200 MHz (usable), 2110-2170 MHz (W-CDMA band) 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz)
Operating Frequency (typical) 2167.5 MHz —
Average Output Power 2 W (33 dBm) —
Drain Supply Voltage (VDD) 28 V (24 V to 32 V operating range) —
Small-Signal Gain 31 dB (typical at 2.17 GHz) —
Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) 80 mA 90 mA
Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) 300 mA 420 mA
Package Type TO-272WB-16 (over-molded plastic) —
Input Matching On-chip (50 ohm nominal) —
Output Matching On-chip (50 ohm nominal) —
Characteristic Impedance 50 ohm —
Maximum Operating Temperature 150 C —
Type de montage Surface Mount (flange/over-molded) Surface Mount
Modulation Support W-CDMA, TD-SCDMA, LTE, multi-carrier —
Test Signal Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, PAR = 7.5 dB —
ACPR Measurement 3.84 MHz channel bandwidth at +/-5 MHz offset —
Modulation / RF Type — W-CDMA (also TD-SCDMA, LTE)
Output Power (Average) — 4 W Avg. @ 2112.5 MHz, single-carrier W-CDMA
Supply Voltage (VDD) — 28 V (rated 24 V to 32 V operation)
Minimum Gain — 15 dB (typical 30 dB)
Input VSWR — 5:1
Output VSWR — 5:1
Nominal Impedance — 50 ohm (on-chip matched)
P1dB (Output) — 46 dBm (per distributor listing)
Boîtier — TO-272 WB-16 (over-molded plastic, 16-lead)
Terminal Finish — Matte Tin (Sn)
Package Body Material — Plastic / Epoxy
Operating Mode — 100% PAR tested for W-CDMA-like signals
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance]

Fiches techniques et ressources

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