MW7IC2220NBR1 vs MW7IC2240NBR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MW7IC2220NBR1 от NXP Semiconductors и MW7IC2240NBR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MW7IC2220NBR1 MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MW7IC2240NBR1 MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MW7IC2220NBR1 MW7IC2240NBR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория RF Amplifiers RF Amplifiers
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $21,50 $29,00
Technology RF LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) RF LDMOS (multi-stage integrated)
Функция W-CDMA Wideband Integrated Power Amplifier —
Frequency Range 2000 MHz to 2200 MHz (usable), 2110-2170 MHz (W-CDMA band) 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz)
Operating Frequency (typical) 2167.5 MHz —
Average Output Power 2 W (33 dBm) —
Drain Supply Voltage (VDD) 28 V (24 V to 32 V operating range) —
Small-Signal Gain 31 dB (typical at 2.17 GHz) —
Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) 80 mA 90 mA
Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) 300 mA 420 mA
Package Type TO-272WB-16 (over-molded plastic) —
Input Matching On-chip (50 ohm nominal) —
Output Matching On-chip (50 ohm nominal) —
Characteristic Impedance 50 ohm —
Maximum Operating Temperature 150 C —
Тип монтажа Surface Mount (flange/over-molded) Surface Mount
Modulation Support W-CDMA, TD-SCDMA, LTE, multi-carrier —
Test Signal Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, PAR = 7.5 dB —
ACPR Measurement 3.84 MHz channel bandwidth at +/-5 MHz offset —
Modulation / RF Type — W-CDMA (also TD-SCDMA, LTE)
Output Power (Average) — 4 W Avg. @ 2112.5 MHz, single-carrier W-CDMA
Supply Voltage (VDD) — 28 V (rated 24 V to 32 V operation)
Minimum Gain — 15 dB (typical 30 dB)
Input VSWR — 5:1
Output VSWR — 5:1
Nominal Impedance — 50 ohm (on-chip matched)
P1dB (Output) — 46 dBm (per distributor listing)
Корпус — TO-272 WB-16 (over-molded plastic, 16-lead)
Terminal Finish — Matte Tin (Sn)
Package Body Material — Plastic / Epoxy
Operating Mode — 100% PAR tested for W-CDMA-like signals
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену