NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16ER-EKI par Nanya Technology et H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16ER-EKI | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $16,70 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Débit de données | 933 MHz (DDR3L-1866) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latence CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |