NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16ER-EKI por Nanya Technology e H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CC256M16ER-EKI H5TC4G63AFR-PBI
Marca Nanya Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $16,70 $6,50
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
Taxa de dados 933 MHz (DDR3L-1866) DDR3-1600 (PC3L-12800)
Encapsulamento 96-ball TFBGA 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Temperatura de operação -40°C to +95°C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS Compliant —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Total Memory Size — 4 Gb
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
Latência CAS — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Faixa de temperatura de operação — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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