NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16ER-EKI 제조: Nanya Technology 및 H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16ER-EKI | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.70 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| 데이터 속도 | 933 MHz (DDR3L-1866) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |