NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16ER-EKI von Nanya Technology und H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16ER-EKI | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Obsolete |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $16,70 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Datenrate | 933 MHz (DDR3L-1866) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS-Latenz | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |